Professor: Dr. Marco Cremona

Resumo: A Eletrônica Orgânica (EO) é uma das áreas de pesquisa mais fascinantes e promissoras e tem desempenhado um papel fundamental nos mercados de inovação e tecnologia. A EO pode incluir uma ampla gama de aplicações, desde emissão de luz (OLED), energia fotovoltaica (OPVs), transistores (OFETs), memórias e sensores, entre outros. Em particular, o desenvolvimento dos transistores orgânicos de efeito de campo, OFET, trouxe uma nova classe de dispositivos, chamados OLETs, transistores orgânicos emissores de luz, com um alto potencial de inovação em diversas aplicações. Esses dispositivos, apesar de sua grande complexidade, não apresentam apenas as características usuais dos transistores, mas sob condições de polarização apropriadas e escolha adequada de moléculas orgânicas e dielétricos, são capazes de emitir luz. Os OLETs consistem em uma estrutura de transistor de filme fino, na qual a camada ativa pode ser usada para produzir éxcitons e, portanto, luz. Espera-se que os OLETs, juntamente com a próxima geração de dispositivos, abram o caminho para uma plataforma eletrônica totalmente orgânica reduzindo a complexidade dos circuitos.
Neste seminário, apresentaremos a pesquisa que envolveu a fabricação sistemática e a caracterização de vários dispositivos OLET usando diferentes arquiteturas e empregando materiais comerciais e não comerciais. Todos os materiais foram caracterizados opticamente, morfologicamente e eletricamente para explorar as capacidades dos dispositivos. Um exemplo, é o uso do C8-BTBT, molécula de alta mobilidade de cargas positivas, combinada com uma camada codepositada de TcTa:Ir(ppy)3 como camada ativa e a utilização de PMMA ou PU como dielétricos de porta. Os nossos resultados com PMMA estão de acordo com os encontrados na literatura. Contudo, a utilização inovadora do PU na fabricação dos OLETs melhorou o desempenho dos dispositivos no sentido de aumentar a mobilidade de cargas de uma ordem de grandeza quando comparada à utilização do PMMA e trouxe uma redução de quatro vezes (de 40 V para 10 V) da tensão limiar de funcionamento, com evidentes repercussões no desempenho do OLET.